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金融界2023年12月25日消息，据国家知识产权局公告，杭州士兰微电子股份有限公司取得一项名为“三极管及其制造方法“授权公告号CN109962103B,申请日期为2017年12月。专利摘要显示，本发明提供了一种三极管及其制造方法，包括介质层，其中，靠近所述第二导电类型外延层的部分神经网络。

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三极管产品的优势包括，产品结构简单、价格较低、耐静电能力强等，在消费类电子、网络通讯、工业、安防等领域对分立器件功耗和频率要求愈发严格的背景下，其市场空间正逐步被MOSFET等元器件取代。据统计，2021年全球三极管市场规模为10.25亿美元，预计到2026年全球三极管市神经网络。

中信证券研报指出，展望功率器件板块2024年发展趋势，我们认为：1)MOS&二三极管行业周期底部逐步明确；2)IGBT短期仍有降价压力，相关本土厂商竞争力已得到充分提升，部分厂商已开启出海之路；长期来看，国产厂商的全球份额仍有提升空间；3)800V驱动SIC功率器件上车节奏加速，同时本后面会介绍。

南方财经6月1日电，扬杰科技在互动平台表示，公司MOS、二三极管等功率器件产品已运用到英伟达相关产品。

证券之星消息，根据企查查数据显示士兰微(600460)新获得一项发明专利授权，专利名为“三极管及其制造方法”，专利申请号为CN201711408816.8,授权日为2023年12月22日。专利摘要：本发明提供了一种三极管及其制造方法，包括介质层，其中，靠近所述第二导电类型外延层的部分厚度的等我继续说。

金融界2024年1月29日消息，据国家知识产权局公告，深圳市信展通电子股份有限公司取得一项名为“用倒装芯片封装的三极管“授权公告号CN220400574U,申请日期为2023年7月。专利摘要显示，本申请涉及三极管技术领域，且公开了用倒装芯片封装的三极管，包括芯片主体、焊接与芯片还有呢？

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金融界10月11日消息，扬杰科技在互动平台表示，公司的IGBT、MOSFET及二三极管产品均有运用于新能源汽车领域，并已经直接向塞力斯和比亚迪供货，其中塞力斯问界系列均搭载公司产品。本文源自金融界AI电报

扬杰科技在互动平台表示，公司MOS、二三极管等功率器件产品已运用到英伟达相关产品。本文源自金融界

南方财经1月18日电，中信证券研报指出，展望功率器件板块2024年发展趋势，我们认为：1)MOS&二三极管行业周期底部逐步明确；2)IGBT短期仍有降价压力，相关本土厂商竞争力已得到充分提升，部分厂商已开启出海之路；长期来看，国产厂商的全球份额仍有提升空间；3)800V驱动SIC功率器件还有呢？